独Infineon Technologies（インフィニオン）は、放射線耐性を備えたパワーMOSFETを14製品発売した（ニュースリリース）。米国の「QPL（Qualified Product List）」仕様に準拠する。放射線耐性は300krad（Si）を確保した。さらにトータルドーズ効果とシングルイベント効果（SEE：Single Event Effect）については、線エネルギー付与（LET：Linear Energy Transfer）が最大90MeVcm2／mgまで発生しないことを確認済みだ。宇宙衛星の電源分配システムや、ペイロード用電源モジュール、宇宙用DC-DCコンバーターなどに向ける。
放射線耐性を備えたパワーMOSFET
同社が独自開発したパッケージ「SupIR SMD」に封止した。Infineon Technologiesの写真
[画像のクリックで拡大表示]
いずれの製品も、高い信頼性が求められる用途に向けて同社が独自開発したパッケージ「SupIR SMD」に封止する。このパッケージの特徴は、パワーMOSFETチップで発生した熱を、プリント基板上の放熱電極に直接放散できる点にある。同社によると、「宇宙用パワーMOSFETに向けた従来の一般的なパッケージに比べると、実装面積は約37％減、重量は約34％減、電力密度は約33％増を実現できる」という。
発売した14製品のうち、nチャネル品は10製品、pチャネル品は4製品である。耐圧は、nチャネル品が＋30V耐圧品、＋60V耐圧品。＋130V耐圧品、＋150V耐圧品、＋200V耐圧品、＋250V耐圧品を用意。Pチャネル品には、−30V耐圧品と、−60V耐圧品、−100V耐圧品、−200V耐圧品がある。例えば、＋250V耐圧のnチャネル品「IRHNS67264」の特性は以下の通りである。最大ドレイン電流は、連続時に50A、パルス時に200A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が＋12Vのときに40mΩ（最大値）。全ゲート電荷量は220nC（最大値）。入力容量は6912pF（標準値）。出力容量は940pF（標準値）。帰還容量は10.8pC（標準値）。ゲート抵抗は0.52Ω（標準値）。ターンオン時の遅延時間は50ns（最大値）、ターンオフ時は100ns（最大値）。立ち上がり時間は150ns（最大値）。立ち下がり時間は50ns（最大値）である。
14製品いずれも、動作接合部温度範囲は−55〜＋150℃。すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。
"宇宙" - Google ニュース
June 25, 2020 at 08:59AM
https://ift.tt/31b5grT
放射線耐性を備えたパワーMOSFET、インフィニオンが宇宙用途向けに発売 - ITpro
"宇宙" - Google ニュース
https://ift.tt/2Tdm8KE
Shoes Man Tutorial
Pos News Update
Meme Update
Korean Entertainment News
Japan News Update
Bagikan Berita Ini
0 Response to "放射線耐性を備えたパワーMOSFET、インフィニオンが宇宙用途向けに発売 - ITpro"
Post a Comment